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      準確測量IGBT的各種靜態參數具有重要的實際意義
    3. 發布日期:2021-10-25      瀏覽次數:15
      •   半導體元件除了本身功能要良好之外,其各項參數能否達到電路上的要求,定期測量,否則產品的質量特性很難保證,尤其是較大的功率元件,因具有耗損性,易老化及效率降低,因不平衡導致燒毀。所以對新產品及使用中的元件參數的篩選及檢查更為重要。針對IGBT而言,IGBT是廣泛應用于現代中大功率變換器中的主流半導體開關器件。其中,城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設備中,大量使用了IGBT器件,IGBT器件的各種靜態參數為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據,因此準確測量IGBT的各種靜態參數具有重要的實際意義。
          那么IGBT有哪些靜態參數?
          1、BVCES:在柵極 G 和發射極 E 短路時,在加一定的 IC 下,IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的擊穿電壓。
          2、ICES:在柵極 G 和發射極 E 短路時,在加一定的 VCE 下,IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的漏電流。
          3、IGES:在集電極 C 和發射極 E 短路時,在加一定的 VGE 下,IGBT 的柵極 G 和發射極 E 之間的漏電流。
          4、VGE(TH):在一定的 IC 下,IGBT 的開啟電壓。
          5、VCE(SAT):在柵極 G 和發射極之間加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下,IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的飽和壓降。
          6、VF:在一定的 IE 下,續流二極管的電壓降。
          要判斷一個IGBT器件的好壞,就需要使用IGBT靜態參數測試儀對以上這些參數進行測試,測試結果就要和IGBT生產廠家出的IGBT的規格書中的電氣特性這一欄里邊的范圍進行比較,在范圍之內就合格,否則不合格。
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