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      雪崩能量測試儀

      產品時間:2019-01-11

      簡要描述:

      雪崩能量測試儀系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。

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      半導體分立器件作為在電力電子行業中應用為廣泛的基礎元件,其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。

      雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數據傳輸給計算機,計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。

       

      HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

      功能指標:

      配置

      測試范圍

      測試參數

      條件

      范圍

      電壓
      1000V 

      IGBTs
      絕緣柵雙極型晶體管 

      EAS/單脈沖雪崩能量

      VCE

      20V~4500V

      20~100V±3%±1V
      100~1000V±3%±5V 
      1000V~4500V±3%±10V

      電流
      200A

      MOSFETs
      MOS場效應管

      EAR/重復脈沖雪崩能量 

      Ic

      1mA~200A

      1mA~100mA±3%±0.1mA
      100mA~2A±3%±5mA 
      2A~200A±3%±50mA

       

      DIODEs
      二極管

      IAS/單脈沖雪崩電流

      Ea

      1J~2000J

      1J~100J±3%±1J
      100J~500J±3%±5J 
      500J~2000J±3%±10J

         

      PAS/單脈沖雪崩功率

      IC檢測

      50mV/A(取決于傳感器)

           

      感性負載

      10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

           

      重復間隙時間 

      1~60s可調(步進1s) 重復次數:1~50次

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