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      大功率IGBT動態參數測試系統

      產品時間:2019-01-11

      簡要描述:

      華科智源專業提供IGBT測試系統,IGBT動態參數測試儀,IGBT模塊測試系統,提供IGBT單管及模塊的動靜態測試儀,雪崩能量測試儀。該設備用于功率半導體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動態參數測試,以表征器件的動態特性,通過特制測試夾具的連接,實現模塊的動態參數測試。大功率IGBT動態參數測試系統-華科智源

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      大功率IGBT動態參數測試系統-華科智源

      1、設備概述

      該設備用于功率半導體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動態參數測試,以表征器件的動態特性,通過特制測試夾具的連接,實現模塊的動態參數測試。

      2、

      3、系統基本參數

      3.1 電  源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz  20A RMS; 

      3.2 加熱功能:室溫~150℃; 

      3.3 測試功能:可測試IGBT模塊及FRD; 

      3.4 環境溫度:25℃±15℃; 

      3.5 環境濕度:50% ±20% (相對濕度)

      4、動態測試基本配置

      4.1 集電級電壓 Vcc: 50 ~ 1000V;

      4.2 集電極電流 Ic: 50 ~ 1000A 感性負載;

      4.3 電流持續時間 It: 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間; 4.4 脈 沖 模 式: 單脈沖和雙脈沖;

      4.5 單電流脈沖的設置: Vcc,Ic, 電感值(自動計算脈寬);

      4.6 雙電流脈沖的設置: Vcc, Ic, 電感值,間隙時間(10到50us)(脈寬自動計算);

      (開啟Qrr測試:第二個脈寬=間隙時間,10~50us);

      4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH(感性動態測試)。

      5、感性負載

      5.1 有效電感 L   100   200   500  1000 μH;

      5.2 大電流 Ic  1000  1000  1000  500 A;

      外部電感成陣列的內部連接。(外部電感的H值傳給PC,以計算電流源的極限,限制脈寬到1000us)。

      6、標準的雙控制極驅動

      6.1 門極電阻可人工預先設定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

      6.2 開啟(Trun-ON)輸出電壓 Vge+ : +15V;

      6.3 關斷(Trun-ON)輸出電壓 Vge- : -15V;

      6.4 脈寬: 10 ~ 1000us (單脈沖、雙脈沖總時間);

      6.5 電壓開關時間: < 50ns;

      6.6 輸出內阻: < 0.5Ω;

      7、測量配置

      7.1 示波器:美國泰克新5系混合信號示波器(MSO),帶寬500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;

      7.2 高速電流探頭;

      7.3 高壓差分探頭。

      8、測試參數應包括

      8.1 開通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );

      8.2 關斷:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);

      8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);

      8.4 柵電荷:采用恒流驅動,電流可調范圍:0~100mA;

      8.5 短路(1200Amax);

      8.6 雪崩;

      8.7 NTC(模塊)測試:0-20KΩ;

      8.8 大功率IGBT動態參數測試系統-華科智源主要測試參數精度偏差 :< 3 % 。

      9、系統保護功能

      9.1 有完備的安全控制單元,動態測試設備有傳感器來保證操作者安全,設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。

      9.2 有急停按鈕,當急停按鈕被按下時,迅速切斷所有高壓電源。

      9.3 系統帶有短路保護功能,在過載時迅速斷開高壓高電流。

      9.4 操作系統帶有多級權限。

      9.5 系統應配有內置ups,保證計算機系統在電網短時間掉電情況下,為系統供電0.5小時以上,確保系統及數據安全。

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